AONR62818 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONR62818

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для AONR62818

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR62818 даташит

 ..1. Size:336K  aosemi
 aonr62818.pdf pdf_icon

AONR62818

AONR62818 TM 80V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Best in Class Low RDS(ON) Low Switching Loss RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:293K  aosemi
 aonr62992.pdf pdf_icon

AONR62818

AONR62992 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:715K  aosemi
 aonr62921.pdf pdf_icon

AONR62818

AONR62921 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:483K  aosemi
 aonr66620.pdf pdf_icon

AONR62818

AONR66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON7568, AONE36132, AONE36182, AONR21307, AONR21357, AONR32314, AONR36366, AONR36368, 12N60, AONR66406, AONS21307, AONS21357, AONS32306, AONS32314, AONS62602, AONS62614, AONS62618