Справочник MOSFET. AONR62818

 

AONR62818 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONR62818
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для AONR62818

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR62818 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  aosemi
 aonr62818.pdf pdf_icon

AONR62818

AONR62818TM80V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Best in Class Low RDS(ON) Low Switching Loss RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:715K  aosemi
 aonr62921.pdf pdf_icon

AONR62818

AONR62921100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:483K  aosemi
 aonr66620.pdf pdf_icon

AONR62818

AONR66620TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:442K  aosemi
 aonr66821.pdf pdf_icon

AONR62818

AONR66821TM80V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGTTM technology 80V ID (at VGS=10V) 93A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON7568 , AONE36132 , AONE36182 , AONR21307 , AONR21357 , AONR32314 , AONR36366 , AONR36368 , 4N60 , AONR66406 , AONS21307 , AONS21357 , AONS32306 , AONS32314 , AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 .

 

 
Back to Top

 


 
.