AONS66916 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS66916

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de AONS66916 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AONS66916 datasheet

 ..1. Size:313K  aosemi
 aons66916.pdf pdf_icon

AONS66916

AONS66916 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:345K  aosemi
 aons66916t.pdf pdf_icon

AONS66916

AONS66916T TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 184A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:340K  aosemi
 aons66917t.pdf pdf_icon

AONS66916

AONS66917T TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 185A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:419K  aosemi
 aons66919.pdf pdf_icon

AONS66916

AONS66919 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AONS32306, AONS32314, AONS62602, AONS62614, AONS62618, AONS62922, AONS66402, AONS66406, AO4407, AOSD62666E, AOSP21307, AOSP21357, AOSP32314, AOSP32368, AOSP66406, AOT2140L, AOT2142L