Справочник MOSFET. AONS66916

 

AONS66916 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS66916
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AONS66916

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66916 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  aosemi
 aons66916.pdf pdf_icon

AONS66916

AONS66916TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:345K  aosemi
 aons66916t.pdf pdf_icon

AONS66916

AONS66916TTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 184A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:340K  aosemi
 aons66917t.pdf pdf_icon

AONS66916

AONS66917TTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 185A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:419K  aosemi
 aons66919.pdf pdf_icon

AONS66916

AONS66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS32306 , AONS32314 , AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 , AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 , P60NF06 , AOSD62666E , AOSP21307 , AOSP21357 , AOSP32314 , AOSP32368 , AOSP66406 , AOT2140L , AOT2142L .

History: BUK7Y22-100E | MCG30N03A | UT3N10G-AA3-R | TK39N60X | 2SK3353-Z | APM4115PU | 2SK3296-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.