AOSD62666E Todos los transistores

 

AOSD62666E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOSD62666E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de AOSD62666E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOSD62666E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  aosemi
 aosd62666e.pdf pdf_icon

AOSD62666E

AOSD62666ETM60V Dual N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 9.5A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONS32314 , AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 , AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , 18N50 , AOSP21307 , AOSP21357 , AOSP32314 , AOSP32368 , AOSP66406 , AOT2140L , AOT2142L , AOT2146L .

History: 13N50G-TQ2-R | SI4408DY | NTD6415AN-1G

 

 
Back to Top

 


 
.