Справочник MOSFET. AOSD62666E

 

AOSD62666E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSD62666E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AOSD62666E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSD62666E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  aosemi
 aosd62666e.pdf pdf_icon

AOSD62666E

AOSD62666ETM60V Dual N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 9.5A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONS32314 , AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 , AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , 18N50 , AOSP21307 , AOSP21357 , AOSP32314 , AOSP32368 , AOSP66406 , AOT2140L , AOT2142L , AOT2146L .

History: SI4408DY | NTD6415AN-1G | 13N50G-TQ2-R

 

 
Back to Top

 


 
.