Справочник MOSFET. AOSD62666E

 

AOSD62666E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSD62666E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSD62666E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  aosemi
 aosd62666e.pdf pdf_icon

AOSD62666E

AOSD62666ETM60V Dual N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 9.5A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.