AOSD62666E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOSD62666E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AOSD62666E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSD62666E даташит

 ..1. Size:356K  aosemi
 aosd62666e.pdf pdf_icon

AOSD62666E

AOSD62666E TM 60V Dual N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 9.5A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONS32314, AONS62602, AONS62614, AONS62618, AONS62922, AONS66402, AONS66406, AONS66916, BS170, AOSP21307, AOSP21357, AOSP32314, AOSP32368, AOSP66406, AOT2140L, AOT2142L, AOT2146L