AOSP21307 Todos los transistores

 

AOSP21307 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOSP21307
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de AOSP21307 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOSP21307 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  aosemi
 aosp21307.pdf pdf_icon

AOSP21307

AOSP2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -14A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:258K  aosemi
 aosp21321.pdf pdf_icon

AOSP21307

AOSP2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -11A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:295K  aosemi
 aosp21357.pdf pdf_icon

AOSP21307

AOSP2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -16A High Current capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

Otros transistores... AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 , AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , AOSD62666E , 10N65 , AOSP21357 , AOSP32314 , AOSP32368 , AOSP66406 , AOT2140L , AOT2142L , AOT2146L , AOT2502L .

History: IXFN44N100Q3 | 2SK3993-ZK | IXFN48N55 | BLP028N10-B | SIHFI9640G

 

 
Back to Top

 


 
.