Справочник MOSFET. AOSP21307

 

AOSP21307 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSP21307
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AOSP21307

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP21307 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  aosemi
 aosp21307.pdf pdf_icon

AOSP21307

AOSP2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -14A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:258K  aosemi
 aosp21321.pdf pdf_icon

AOSP21307

AOSP2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -11A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:295K  aosemi
 aosp21357.pdf pdf_icon

AOSP21307

AOSP2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -16A High Current capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

Другие MOSFET... AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 , AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , AOSD62666E , 10N65 , AOSP21357 , AOSP32314 , AOSP32368 , AOSP66406 , AOT2140L , AOT2142L , AOT2146L , AOT2502L .

 

 
Back to Top

 


 
.