AOSP32314 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSP32314

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de AOSP32314 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOSP32314 datasheet

 ..1. Size:319K  aosemi
 aosp32314.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP32314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:322K  aosemi
 aosp32320c.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP32320C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:431K  aosemi
 aosp32368.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP32368 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:326K  aosemi
 aosp36326c.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP36326C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AONS62618, AONS62922, AONS66402, AONS66406, AONS66916, AOSD62666E, AOSP21307, AOSP21357, IRF1407, AOSP32368, AOSP66406, AOT2140L, AOT2142L, AOT2146L, AOT2502L, AOT2904, AOT2906