AOSP32314 Todos los transistores

 

AOSP32314 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOSP32314
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOSP32314 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  aosemi
aosp32314.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:322K  aosemi
aosp32320c.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:431K  aosemi
aosp32368.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP3236830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:326K  aosemi
aosp36326c.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONS62618 , AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , AOSD62666E , AOSP21307 , AOSP21357 , NCEP15T14 , AOSP32368 , AOSP66406 , AOT2140L , AOT2142L , AOT2146L , AOT2502L , AOT2904 , AOT2906 .

History: SVF1N60AM | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | 2SK3203L | WFY3N02 | APT904R2AN | 12N60A

 

 
Back to Top

 


 
.