AOSP32314 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOSP32314

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AOSP32314

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP32314 даташит

 ..1. Size:319K  aosemi
 aosp32314.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP32314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:322K  aosemi
 aosp32320c.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP32320C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:431K  aosemi
 aosp32368.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP32368 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:326K  aosemi
 aosp36326c.pdf pdf_icon

AOSP32314

AOSP36326C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS62618, AONS62922, AONS66402, AONS66406, AONS66916, AOSD62666E, AOSP21307, AOSP21357, IRF1407, AOSP32368, AOSP66406, AOT2140L, AOT2142L, AOT2146L, AOT2502L, AOT2904, AOT2906