AOSP32368 Todos los transistores

 

AOSP32368 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOSP32368
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOSP32368 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  aosemi
 aosp32368.pdf pdf_icon

AOSP32368

AOSP3236830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:322K  aosemi
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AOSP32368

AOSP32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:319K  aosemi
 aosp32314.pdf pdf_icon

AOSP32368

AOSP3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:326K  aosemi
 aosp36326c.pdf pdf_icon

AOSP32368

AOSP36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: IPI80N04S2-04 | RRL025P03 | LSF60R380HT | ASDM3080KQ | SVG032R4NL5 | 7N80G-TF3-T | FQP6N60C

 

 
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