Справочник MOSFET. AOSP32368

 

AOSP32368 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSP32368
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AOSP32368

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP32368 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  aosemi
 aosp32368.pdf pdf_icon

AOSP32368

AOSP3236830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:322K  aosemi
 aosp32320c.pdf pdf_icon

AOSP32368

AOSP32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:319K  aosemi
 aosp32314.pdf pdf_icon

AOSP32368

AOSP3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:326K  aosemi
 aosp36326c.pdf pdf_icon

AOSP32368

AOSP36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , AOSD62666E , AOSP21307 , AOSP21357 , AOSP32314 , 5N65 , AOSP66406 , AOT2140L , AOT2142L , AOT2146L , AOT2502L , AOT2904 , AOT2906 , AOTF190A60L .

History: IXTP270N04T4 | AONS62922

 

 
Back to Top

 


 
.