Справочник MOSFET. AOSP32368

 

AOSP32368 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSP32368
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   trⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP32368 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  aosemi
 aosp32368.pdf pdf_icon

AOSP32368

AOSP3236830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:322K  aosemi
 aosp32320c.pdf pdf_icon

AOSP32368

AOSP32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:319K  aosemi
 aosp32314.pdf pdf_icon

AOSP32368

AOSP3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:326K  aosemi
 aosp36326c.pdf pdf_icon

AOSP32368

AOSP36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP18T10AGH-HF | 2SK3013 | 2SK3523-01R | MDH3331RP | IXTX550N055T2 | HTB025N03 | ZXMP6A17E6TA

 

 
Back to Top

 


 
.