AOSP66406 Todos los transistores

 

AOSP66406 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOSP66406
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC8
 

 Búsqueda de reemplazo de AOSP66406 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOSP66406 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  aosemi
 aosp66406.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66406TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 17A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:312K  aosemi
 aosp66919.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:268K  aosemi
 aosp66920.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaSGTTM technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 13.5A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:312K  aosemi
 aosp66923.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66923TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 12A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , AOSD62666E , AOSP21307 , AOSP21357 , AOSP32314 , AOSP32368 , STP80NF70 , AOT2140L , AOT2142L , AOT2146L , AOT2502L , AOT2904 , AOT2906 , AOTF190A60L , AOTF20C60P .

 

 
Back to Top

 


 
.