Справочник MOSFET. AOSP66406

 

AOSP66406 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSP66406
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: SOIC8
 

 Аналог (замена) для AOSP66406

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP66406 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  aosemi
 aosp66406.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66406TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 17A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:312K  aosemi
 aosp66919.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:268K  aosemi
 aosp66920.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaSGTTM technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 13.5A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:312K  aosemi
 aosp66923.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66923TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 12A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , AOSD62666E , AOSP21307 , AOSP21357 , AOSP32314 , AOSP32368 , STP80NF70 , AOT2140L , AOT2142L , AOT2146L , AOT2502L , AOT2904 , AOT2906 , AOTF190A60L , AOTF20C60P .

History: BLF888BS | 2SK3377-ZK | 2SK3058-Z | BUK7K134-100E | IXFN44N80Q3 | 2SK2889

 

 
Back to Top

 


 
.