AOSP66406 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOSP66406

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: SOIC8

Аналог (замена) для AOSP66406

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP66406 даташит

 ..1. Size:379K  aosemi
 aosp66406.pdf pdf_icon

AOSP66406

 8.1. Size:312K  aosemi
 aosp66919.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66919 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:268K  aosemi
 aosp66920.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaSGTTM technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 13.5A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:312K  aosemi
 aosp66923.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 12A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS66402, AONS66406, AONS66916, AOSD62666E, AOSP21307, AOSP21357, AOSP32314, AOSP32368, 10N65, AOT2140L, AOT2142L, AOT2146L, AOT2502L, AOT2904, AOT2906, AOTF190A60L, AOTF20C60P