AOSP66406 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOSP66406 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOSP66406
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: SOIC8
 

 Аналог (замена) для AOSP66406

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP66406 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  aosemi
 aosp66406.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66406TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 17A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:312K  aosemi
 aosp66919.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:268K  aosemi
 aosp66920.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaSGTTM technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 13.5A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:312K  aosemi
 aosp66923.pdf pdf_icon

AOSP66406

AOSP66923TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 12A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , AOSD62666E , AOSP21307 , AOSP21357 , AOSP32314 , AOSP32368 , 75N75 , AOT2140L , AOT2142L , AOT2146L , AOT2502L , AOT2904 , AOT2906 , AOTF190A60L , AOTF20C60P .

History: 2SK3148 | 2SK2043 | R6020KNX | HCI70R230 | GMP3205 | RD07MVS1 | SMG2325P

 

 
Back to Top

 


 
.