AOTF2142L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOTF2142L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 112 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1438 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
Encapsulados: TO220F
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AOTF2142L datasheet
aotf2142l.pdf
AOT2142L/AOTF2142L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120A / 112A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aot2142l aotf2142l.pdf
AOT2142L/AOTF2142L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120A / 112A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aotf2142l.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF2142L FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses Optimized for fast-switching applications 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switch
aotf2144l.pdf
AOTF2144L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 90A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AOT2140L, AOT2142L, AOT2146L, AOT2502L, AOT2904, AOT2906, AOTF190A60L, AOTF20C60P, STF13NM60N, AOTF2146L, AOTF2210L, AOTF286L, AOTF290L, AOTF292L, AOTF296L, AOW2502, AOW290
History: RJK0854DPB | AOW2502
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Liste
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