AOY2610E Todos los transistores

 

AOY2610E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOY2610E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251B
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOY2610E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  aosemi
 aod2610e aoi2610e aoy2610e.pdf pdf_icon

AOY2610E

AOD2610E/AOI2610E/AOY2610ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:411K  aosemi
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AOY2610E

AOD2610E/AOI2610E/AOY2610ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:273K  inchange semiconductor
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AOY2610E

isc N-Channel MOSFET Transistor AOY2610EFEATURESDrain Current I = 46A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Otros transistores... AOTF292L , AOTF296L , AOW2502 , AOW290 , AOW292 , AOW296 , AOWF296 , AOWF190A60 , IRFZ48N , AP92T12GP , AP95T10GP , AP97T07GP , AP9970GW , AP75N07AGP , AP75N07GP , AP75N07GS , AP85T10GP .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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