AOY2610E Todos los transistores

 

AOY2610E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOY2610E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO251B

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AOY2610E datasheet

 ..1. Size:411K  aosemi
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AOY2610E

AOD2610E/AOI2610E/AOY2610E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:411K  aosemi
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AOY2610E

AOD2610E/AOI2610E/AOY2610E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:273K  inchange semiconductor
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AOY2610E

isc N-Channel MOSFET Transistor AOY2610E FEATURES Drain Current I = 46A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos

Otros transistores... AOTF292L , AOTF296L , AOW2502 , AOW290 , AOW292 , AOW296 , AOWF296 , AOWF190A60 , IRF830 , AP92T12GP , AP95T10GP , AP97T07GP , AP9970GW , AP75N07AGP , AP75N07GP , AP75N07GS , AP85T10GP .

History: SUD50N02-06P | SW4N70K

 

 

 

 

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