AOY2610E - описание и поиск аналогов

 

AOY2610E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOY2610E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO251B

Аналог (замена) для AOY2610E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOY2610E даташит

 ..1. Size:411K  aosemi
 aod2610e aoi2610e aoy2610e.pdf pdf_icon

AOY2610E

AOD2610E/AOI2610E/AOY2610E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:411K  aosemi
 aoy2610e.pdf pdf_icon

AOY2610E

AOD2610E/AOI2610E/AOY2610E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:273K  inchange semiconductor
 aoy2610e.pdf pdf_icon

AOY2610E

isc N-Channel MOSFET Transistor AOY2610E FEATURES Drain Current I = 46A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos

Другие MOSFET... AOTF292L , AOTF296L , AOW2502 , AOW290 , AOW292 , AOW296 , AOWF296 , AOWF190A60 , IRF830 , AP92T12GP , AP95T10GP , AP97T07GP , AP9970GW , AP75N07AGP , AP75N07GP , AP75N07GS , AP85T10GP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.