AOY2610E - аналоги и даташиты транзистора

 

AOY2610E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOY2610E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO251B
 

 Аналог (замена) для AOY2610E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOY2610E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  aosemi
 aod2610e aoi2610e aoy2610e.pdf pdf_icon

AOY2610E

AOD2610E/AOI2610E/AOY2610ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:411K  aosemi
 aoy2610e.pdf pdf_icon

AOY2610E

AOD2610E/AOI2610E/AOY2610ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:273K  inchange semiconductor
 aoy2610e.pdf pdf_icon

AOY2610E

isc N-Channel MOSFET Transistor AOY2610EFEATURESDrain Current I = 46A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... AOTF292L , AOTF296L , AOW2502 , AOW290 , AOW292 , AOW296 , AOWF296 , AOWF190A60 , P0903BDG , AP92T12GP , AP95T10GP , AP97T07GP , AP9970GW , AP75N07AGP , AP75N07GP , AP75N07GS , AP85T10GP .

History: G1818 | OSG60R190FT3ZF | MDF18N50BTH

 

 
Back to Top

 


 
.