AP3N3R3M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP3N3R3M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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AP3N3R3M Datasheet (PDF)

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ap3n3r3m.pdf

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History: 2SK2071-01L | FDP51N25 | 2SK2118

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: