AP3N3R3M Todos los transistores

 

AP3N3R3M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP3N3R3M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP3N3R3M Datasheet (PDF)

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AP3N3R3M

AP3N3R3MHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement D RDS(ON) 3.3mD Fast Switching Characteristic ID3 21.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8Description DAP3N3R3 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technolog

 0.1. Size:161K  ape
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AP3N3R3M

AP3N3R3MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODE 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.3m Ultra Low On-resistanceDG RoHS Compliant & Halogen-FreeDDSDDescriptionAP3N3R3 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possi

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History: SUP75N08-10 | SI3469DV

 

 
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