Справочник MOSFET. AP3N3R3M

 

AP3N3R3M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3N3R3M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.3 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP3N3R3M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N3R3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  ape
 ap3n3r3m.pdf pdf_icon

AP3N3R3M

AP3N3R3MHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement D RDS(ON) 3.3mD Fast Switching Characteristic ID3 21.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8Description DAP3N3R3 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technolog

 0.1. Size:161K  ape
 ap3n3r3mt.pdf pdf_icon

AP3N3R3M

AP3N3R3MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODE 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.3m Ultra Low On-resistanceDG RoHS Compliant & Halogen-FreeDDSDDescriptionAP3N3R3 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possi

Другие MOSFET... AP10TN030M , AP10TN135M , AP15P15GM , AP15T15GM , AP15TP1R0M , AP18P10GM , AP20T15GM , AP30T10GM , K3569 , AP3N4R5M , AP3P010M , AP3P028LM , AP3P050M , AP3P7R0EM , AP3P9R0M , AP4024EM , AP4028EM .

History: SW2N60A1 | 4N90L-TF3T-T | STU3N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.