AP3N3R3M - описание и поиск аналогов

 

AP3N3R3M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3N3R3M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.3 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP3N3R3M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N3R3M даташит

 ..1. Size:63K  ape
 ap3n3r3m.pdf pdf_icon

AP3N3R3M

AP3N3R3M Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 30V D D Simple Drive Requirement D RDS(ON) 3.3m D Fast Switching Characteristic ID3 21.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP3N3R3 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technolog

 0.1. Size:161K  ape
 ap3n3r3mt.pdf pdf_icon

AP3N3R3M

AP3N3R3MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.3m Ultra Low On-resistance D G RoHS Compliant & Halogen-Free D D S D Description AP3N3R3 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possi

Другие MOSFET... AP10TN030M , AP10TN135M , AP15P15GM , AP15T15GM , AP15TP1R0M , AP18P10GM , AP20T15GM , AP30T10GM , IRF9540 , AP3N4R5M , AP3P010M , AP3P028LM , AP3P050M , AP3P7R0EM , AP3P9R0M , AP4024EM , AP4028EM .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.