IRFF024 Todos los transistores

 

IRFF024 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFF024
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO39
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFF024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  international rectifier
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IRFF024

PD - 90657REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORS IRFF024THRU-HOLE (TO-205AF) 60V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF024 60V 0.15 8.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design achi

 9.1. Size:12K  semelab
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IRFF024

IRFF034Dimensions in mm (inches). N-Channel MOSFET 8.64 (0.34)9.40 (0.37)8.01 (0.315) in a 9.01 (0.355)Hermetically sealed TO39 4.06 (0.16)4.57 (0.18)Metal Package. 0.89 max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)dia.N-Channel MOSFET. 5.08 (0.200)typ.VDSS = 60V 2.54ID = 16A 2(0.100)1 30.74 (0.029)RDS(ON) = 0.05

Otros transistores... IRFE430 , IRFE9024 , IRFE9110 , IRFE9120 , IRFE9130 , IRFE9210 , IRFE9220 , IRFE9230 , 2SK3878 , IRFF110 , IRFF120 , IRFF130 , IRFF210 , IRFF220 , IRFF230 , IRFF310 , IRFF320 .

History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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