IRFF024 - описание и поиск аналогов

 

IRFF024. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFF024

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO39

Аналог (замена) для IRFF024

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFF024 даташит

 ..1. Size:132K  international rectifier
 irff024.pdf pdf_icon

IRFF024

PD - 90657 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS IRFF024 THRU-HOLE (TO-205AF) 60V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF024 60V 0.15 8.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design achi

 9.1. Size:12K  semelab
 irff034.pdf pdf_icon

IRFF024

IRFF034 Dimensions in mm (inches). N-Channel MOSFET 8.64 (0.34) 9.40 (0.37) 8.01 (0.315) in a 9.01 (0.355) Hermetically sealed TO39 4.06 (0.16) 4.57 (0.18) Metal Package. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. N-Channel MOSFET. 5.08 (0.200) typ. VDSS = 60V 2.54 ID = 16A 2 (0.100) 1 3 0.74 (0.029) RDS(ON) = 0.05

Другие MOSFET... IRFE430 , IRFE9024 , IRFE9110 , IRFE9120 , IRFE9130 , IRFE9210 , IRFE9220 , IRFE9230 , IRFP250N , IRFF110 , IRFF120 , IRFF130 , IRFF210 , IRFF220 , IRFF230 , IRFF310 , IRFF320 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.