Справочник MOSFET. IRFF024

 

IRFF024 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFF024
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO39
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFF024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  international rectifier
 irff024.pdf pdf_icon

IRFF024

PD - 90657REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORS IRFF024THRU-HOLE (TO-205AF) 60V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF024 60V 0.15 8.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design achi

 9.1. Size:12K  semelab
 irff034.pdf pdf_icon

IRFF024

IRFF034Dimensions in mm (inches). N-Channel MOSFET 8.64 (0.34)9.40 (0.37)8.01 (0.315) in a 9.01 (0.355)Hermetically sealed TO39 4.06 (0.16)4.57 (0.18)Metal Package. 0.89 max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)dia.N-Channel MOSFET. 5.08 (0.200)typ.VDSS = 60V 2.54ID = 16A 2(0.100)1 30.74 (0.029)RDS(ON) = 0.05

Другие MOSFET... IRFE430 , IRFE9024 , IRFE9110 , IRFE9120 , IRFE9130 , IRFE9210 , IRFE9220 , IRFE9230 , 2SK3878 , IRFF110 , IRFF120 , IRFF130 , IRFF210 , IRFF220 , IRFF230 , IRFF310 , IRFF320 .

History: AP05N20GJ-HF | IRFP9140N | IRFSL7730PBF | SIF12N60C | RF1S630SM | UPA1717 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.