AP9685GM Todos los transistores

 

AP9685GM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9685GM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de AP9685GM MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP9685GM datasheet

 ..1. Size:172K  ape
 ap9685gm.pdf pdf_icon

AP9685GM

AP9685GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 45m D Fast Switching Characteristic ID 5.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9685 series are from Ad

 0.1. Size:56K  ape
 ap9685gm-hf.pdf pdf_icon

AP9685GM

AP9685GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 45m D Fast Switching Characteristic ID 5.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fas

Otros transistores... AP9467GM , AP9470GM , AP9475GM , AP9479GM , AP9487GM , AP9563GM , AP9620AGM , AP9620GM , 2SK3568 , AP10A185M , AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM , AP36016M , AP3700M , AP38028EM .

History: IPP126N10N3 | SSI1N50A | IRFS254B | AP95T10GI | AP9971AGM | 2SK1776 | SiS412DN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.