AP9685GM Todos los transistores

 

AP9685GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9685GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP9685GM Datasheet (PDF)

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AP9685GM

AP9685GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 45mD Fast Switching Characteristic ID 5.3AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSSO-8DescriptionDAP9685 series are from Ad

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AP9685GM

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History: AONS36316 | 4N65KG-T60-K | RQK0608BQDQS | MRF5003 | STP5N62K3 | IRFR120TR

 

 
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