AP9685GM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP9685GM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP9685GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9685GM даташит

 ..1. Size:172K  ape
 ap9685gm.pdf pdf_icon

AP9685GM

AP9685GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 45m D Fast Switching Characteristic ID 5.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9685 series are from Ad

 0.1. Size:56K  ape
 ap9685gm-hf.pdf pdf_icon

AP9685GM

AP9685GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 45m D Fast Switching Characteristic ID 5.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fas

Другие IGBT... AP9467GM, AP9470GM, AP9475GM, AP9479GM, AP9487GM, AP9563GM, AP9620AGM, AP9620GM, 2SK3568, AP10A185M, AP10C150M, AP2C018LM, AP2C030LM, AP2P028EM, AP36016M, AP3700M, AP38028EM