AP9685GM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP9685GM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.3 A
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 135 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
Тип корпуса: SO8
AP9685GM Datasheet (PDF)
ap9685gm.pdf
AP9685GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 45mD Fast Switching Characteristic ID 5.3AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSSO-8DescriptionDAP9685 series are from Ad
ap9685gm-hf.pdf
AP9685GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 45mD Fast Switching Characteristic ID 5.3AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fas
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
