AP10A185M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP10A185M  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP10A185M datasheet

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AP10A185M

AP10A185M Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D2 D2 Fast Switching Characteristic D1 RDS(ON) 185m D1 Low Gate Charge ID 2.2A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description AP10A185 series are from Advanced Power innovated design D2 D1 and silicon proces

Otros transistores... AP9470GM, AP9475GM, AP9479GM, AP9487GM, AP9563GM, AP9620AGM, AP9620GM, AP9685GM, 10N65, AP10C150M, AP2C018LM, AP2C030LM, AP2P028EM, AP36016M, AP3700M, AP38028EM, AP3A010AM