AP10A185M Todos los transistores

 

AP10A185M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP10A185M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de AP10A185M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP10A185M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  ape
 ap10a185m.pdf pdf_icon

AP10A185M

AP10A185MHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD2D2 Fast Switching Characteristic D1 RDS(ON) 185mD1 Low Gate Charge ID 2.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionAP10A185 series are from Advanced Power innovated designD2D1and silicon proces

Otros transistores... AP9470GM , AP9475GM , AP9479GM , AP9487GM , AP9563GM , AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , 75N75 , AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM , AP36016M , AP3700M , AP38028EM , AP3A010AM .

History: TK28A65W | IRFPC50A | HD60N03

 

 
Back to Top

 


 
.