AP10A185M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP10A185M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
AP10A185M Datasheet (PDF)
ap10a185m.pdf

AP10A185MHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD2D2 Fast Switching Characteristic D1 RDS(ON) 185mD1 Low Gate Charge ID 2.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionAP10A185 series are from Advanced Power innovated designD2D1and silicon proces
Otros transistores... AP9470GM , AP9475GM , AP9479GM , AP9487GM , AP9563GM , AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , STP80NF70 , AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM , AP36016M , AP3700M , AP38028EM , AP3A010AM .
History: BVSS123LT1G | WMJ80R260S | SI1025X
History: BVSS123LT1G | WMJ80R260S | SI1025X



Liste
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