Справочник MOSFET. AP10A185M

 

AP10A185M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10A185M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP10A185M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10A185M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  ape
 ap10a185m.pdf pdf_icon

AP10A185M

AP10A185MHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD2D2 Fast Switching Characteristic D1 RDS(ON) 185mD1 Low Gate Charge ID 2.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionAP10A185 series are from Advanced Power innovated designD2D1and silicon proces

Другие MOSFET... AP9470GM , AP9475GM , AP9479GM , AP9487GM , AP9563GM , AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , STP80NF70 , AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM , AP36016M , AP3700M , AP38028EM , AP3A010AM .

History: NCE40H10K | IRFU3709Z | 2SK2477

 

 
Back to Top

 


 
.