AP10A185M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP10A185M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP10A185M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10A185M даташит

 ..1. Size:221K  ape
 ap10a185m.pdf pdf_icon

AP10A185M

AP10A185M Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D2 D2 Fast Switching Characteristic D1 RDS(ON) 185m D1 Low Gate Charge ID 2.2A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description AP10A185 series are from Advanced Power innovated design D2 D1 and silicon proces

Другие IGBT... AP9470GM, AP9475GM, AP9479GM, AP9487GM, AP9563GM, AP9620AGM, AP9620GM, AP9685GM, 10N65, AP10C150M, AP2C018LM, AP2C030LM, AP2P028EM, AP36016M, AP3700M, AP38028EM, AP3A010AM