Справочник MOSFET. AP10A185M

 

AP10A185M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10A185M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10A185M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  ape
 ap10a185m.pdf pdf_icon

AP10A185M

AP10A185MHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD2D2 Fast Switching Characteristic D1 RDS(ON) 185mD1 Low Gate Charge ID 2.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionAP10A185 series are from Advanced Power innovated designD2D1and silicon proces

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP250A | STK0260D

 

 
Back to Top

 


 
.