AP10C150M Todos los transistores

 

AP10C150M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP10C150M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP10C150M datasheet

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AP10C150M

AP10C150M Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150m D1 Fast Switching Performance ID 2.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 160m Description ID -2.5A AP10C150 series are from Advanced

 9.1. Size:211K  ape
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AP10C150M

AP10C325Y Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 HBM ESD 2kV RDS(ON) 325m D1 D1 G2 Fast Switching Performance ID4 2A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 2928-8 RDS(ON) 470m Description ID4 -1.5A AP10C325 series are from Advanced P

Otros transistores... AP9475GM , AP9479GM , AP9487GM , AP9563GM , AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , AP10A185M , 5N60 , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM , AP36016M , AP3700M , AP38028EM , AP3A010AM , AP3B026M .

History: AP85T03GH-HF | AP2535GEY | 2SK3272-01SJ | AP9561GM-HF | AP85T08GP | AP9412AGM | IRFS244B

 

 

 

 

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