AP10C150M Todos los transistores

 

AP10C150M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP10C150M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de AP10C150M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP10C150M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  ape
 ap10c150m.pdf pdf_icon

AP10C150M

AP10C150MHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150mD1 Fast Switching Performance ID 2.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S1SO-8RDS(ON) 160mDescription ID -2.5AAP10C150 series are from Advanced

 9.1. Size:211K  ape
 ap10c325y.pdf pdf_icon

AP10C150M

AP10C325YHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 HBM ESD 2kV RDS(ON) 325mD1D1G2 Fast Switching Performance ID4 2AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S12928-8RDS(ON) 470mDescription ID4 -1.5AAP10C325 series are from Advanced P

Otros transistores... AP9475GM , AP9479GM , AP9487GM , AP9563GM , AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , AP10A185M , 13N50 , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM , AP36016M , AP3700M , AP38028EM , AP3A010AM , AP3B026M .

History: UFZ24NL-TA3 | 2SK2923 | CJU04N65

 

 
Back to Top

 


 
.