AP10C150M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP10C150M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: SO8
AP10C150M Datasheet (PDF)
ap10c150m.pdf
AP10C150MHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150mD1 Fast Switching Performance ID 2.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S1SO-8RDS(ON) 160mDescription ID -2.5AAP10C150 series are from Advanced
ap10c325y.pdf
AP10C325YHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 HBM ESD 2kV RDS(ON) 325mD1D1G2 Fast Switching Performance ID4 2AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S12928-8RDS(ON) 470mDescription ID4 -1.5AAP10C325 series are from Advanced P
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918