AP10C150M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP10C150M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP10C150M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10C150M даташит

 ..1. Size:256K  ape
 ap10c150m.pdf pdf_icon

AP10C150M

AP10C150M Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150m D1 Fast Switching Performance ID 2.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 160m Description ID -2.5A AP10C150 series are from Advanced

 9.1. Size:211K  ape
 ap10c325y.pdf pdf_icon

AP10C150M

AP10C325Y Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 HBM ESD 2kV RDS(ON) 325m D1 D1 G2 Fast Switching Performance ID4 2A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 2928-8 RDS(ON) 470m Description ID4 -1.5A AP10C325 series are from Advanced P

Другие IGBT... AP9475GM, AP9479GM, AP9487GM, AP9563GM, AP9620AGM, AP9620GM, AP9685GM, AP10A185M, 5N60, AP2C018LM, AP2C030LM, AP2P028EM, AP36016M, AP3700M, AP38028EM, AP3A010AM, AP3B026M