Справочник MOSFET. AP10C150M

 

AP10C150M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10C150M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10C150M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  ape
 ap10c150m.pdf pdf_icon

AP10C150M

AP10C150MHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150mD1 Fast Switching Performance ID 2.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S1SO-8RDS(ON) 160mDescription ID -2.5AAP10C150 series are from Advanced

 9.1. Size:211K  ape
 ap10c325y.pdf pdf_icon

AP10C150M

AP10C325YHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 HBM ESD 2kV RDS(ON) 325mD1D1G2 Fast Switching Performance ID4 2AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S12928-8RDS(ON) 470mDescription ID4 -1.5AAP10C325 series are from Advanced P

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK2221 | CJPF05N60 | IRLR8726PBF | CMLM0708A | IRLR8743 | IRHM7360SE | SSM6P26TU

 

 
Back to Top

 


 
.