AP36016M Todos los transistores

 

AP36016M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP36016M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP36016M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ape
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AP36016M

AP36016MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 18mD1 Fast Switching Characteristic ID -8.7AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8 S1DescriptionAP36016 series are from Advanced Power innovated design and siliconD2D1p

 8.1. Size:147K  ape
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AP36016M

AP3601NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Package Outline RDS(ON) 95m Surface Mount Device ID -2.9AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDDescriptionAP3601 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

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History: AP2910EC4 | BLM8205E-J | CEF06N7 | PSMN075-100MSE | SI1022R | IRLR3103PBF

 

 
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