AP36016M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP36016M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP36016M
AP36016M Datasheet (PDF)
ap36016m.pdf

AP36016MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 18mD1 Fast Switching Characteristic ID -8.7AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8 S1DescriptionAP36016 series are from Advanced Power innovated design and siliconD2D1p
ap3601n.pdf

AP3601NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Package Outline RDS(ON) 95m Surface Mount Device ID -2.9AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDDescriptionAP3601 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe
Другие MOSFET... AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , AP10A185M , AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM , 75N75 , AP3700M , AP38028EM , AP3A010AM , AP3B026M , AP3C010M , AP4224LGM , AP4232GM , AP4503AGEM .
History: STU2NK100Z | KMB8D0P30Q | 2SK2272-01R | BLP02N06-D | 2SK615 | VSA007N02KD | 2SK630
History: STU2NK100Z | KMB8D0P30Q | 2SK2272-01R | BLP02N06-D | 2SK615 | VSA007N02KD | 2SK630



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent