Справочник MOSFET. AP36016M

 

AP36016M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP36016M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP36016M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP36016M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ape
 ap36016m.pdf pdf_icon

AP36016M

AP36016MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 18mD1 Fast Switching Characteristic ID -8.7AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8 S1DescriptionAP36016 series are from Advanced Power innovated design and siliconD2D1p

 8.1. Size:147K  ape
 ap3601n.pdf pdf_icon

AP36016M

AP3601NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Package Outline RDS(ON) 95m Surface Mount Device ID -2.9AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDDescriptionAP3601 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

Другие MOSFET... AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , AP10A185M , AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM , 75N75 , AP3700M , AP38028EM , AP3A010AM , AP3B026M , AP3C010M , AP4224LGM , AP4232GM , AP4503AGEM .

History: RQK0603CGDQA | AUIRFZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.