AP36016M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP36016M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP36016M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP36016M даташит

 ..1. Size:184K  ape
 ap36016m.pdf pdf_icon

AP36016M

AP36016M Halogen-Free Product Advanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D2 D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 18m D1 Fast Switching Characteristic ID -8.7A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description AP36016 series are from Advanced Power innovated design and silicon D2 D1 p

 8.1. Size:147K  ape
 ap3601n.pdf pdf_icon

AP36016M

AP3601N Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D Small Package Outline RDS(ON) 95m Surface Mount Device ID -2.9A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP3601 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowe

Другие IGBT... AP9620AGM, AP9620GM, AP9685GM, AP10A185M, AP10C150M, AP2C018LM, AP2C030LM, AP2P028EM, 18N50, AP3700M, AP38028EM, AP3A010AM, AP3B026M, AP3C010M, AP4224LGM, AP4232GM, AP4503AGEM