AP3B026M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP3B026M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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AP3B026M Datasheet (PDF)

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ap3b026m.pdf

AP3B026MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 26mD1 Fast Switching Characteristic ID -7.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8 S1DescriptionAP3B026 series are from Advanced Power innovated design andD2D1silicon p

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History: 2SK3579-01MR | AP9960GH-HF

Liste

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