AP3B026M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP3B026M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
AP3B026M Datasheet (PDF)
ap3b026m.pdf

AP3B026MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 26mD1 Fast Switching Characteristic ID -7.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8 S1DescriptionAP3B026 series are from Advanced Power innovated design andD2D1silicon p
Otros transistores... AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM , AP36016M , AP3700M , AP38028EM , AP3A010AM , IRF2807 , AP3C010M , AP4224LGM , AP4232GM , AP4503AGEM , AP4506GEM , AP4509GM , AP4511GM , AP4513GM .



Liste
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