AP3B026M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP3B026M  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP3B026M datasheet

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AP3B026M

AP3B026M Halogen-Free Product Advanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D2 D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 26m D1 Fast Switching Characteristic ID -7.2A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description AP3B026 series are from Advanced Power innovated design and D2 D1 silicon p

Otros transistores... AP10C150M, AP2C018LM, AP2C030LM, AP2P028EM, AP36016M, AP3700M, AP38028EM, AP3A010AM, HY1906P, AP3C010M, AP4224LGM, AP4232GM, AP4503AGEM, AP4506GEM, AP4509GM, AP4511GM, AP4513GM