AP3B026M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP3B026M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 24 nC
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 285 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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AP3B026M Datasheet (PDF)

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ap3b026m.pdf

AP3B026MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 26mD1 Fast Switching Characteristic ID -7.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8 S1DescriptionAP3B026 series are from Advanced Power innovated design andD2D1silicon p

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Liste

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