AP3B026M Todos los transistores

 

AP3B026M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP3B026M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP3B026M datasheet

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AP3B026M

AP3B026M Halogen-Free Product Advanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D2 D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 26m D1 Fast Switching Characteristic ID -7.2A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description AP3B026 series are from Advanced Power innovated design and D2 D1 silicon p

Otros transistores... AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM , AP36016M , AP3700M , AP38028EM , AP3A010AM , STF13NM60N , AP3C010M , AP4224LGM , AP4232GM , AP4503AGEM , AP4506GEM , AP4509GM , AP4511GM , AP4513GM .

History: JMSL1070PY

 

 
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