AP3B026M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3B026M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3B026M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3B026M даташит

 ..1. Size:184K  ape
 ap3b026m.pdf pdf_icon

AP3B026M

AP3B026M Halogen-Free Product Advanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D2 D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 26m D1 Fast Switching Characteristic ID -7.2A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description AP3B026 series are from Advanced Power innovated design and D2 D1 silicon p

Другие IGBT... AP10C150M, AP2C018LM, AP2C030LM, AP2P028EM, AP36016M, AP3700M, AP38028EM, AP3A010AM, STF13NM60N, AP3C010M, AP4224LGM, AP4232GM, AP4503AGEM, AP4506GEM, AP4509GM, AP4511GM, AP4513GM