Справочник MOSFET. AP3B026M

 

AP3B026M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3B026M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP3B026M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3B026M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ape
 ap3b026m.pdf pdf_icon

AP3B026M

AP3B026MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 26mD1 Fast Switching Characteristic ID -7.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8 S1DescriptionAP3B026 series are from Advanced Power innovated design andD2D1silicon p

Другие MOSFET... AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM , AP36016M , AP3700M , AP38028EM , AP3A010AM , IRF2807 , AP3C010M , AP4224LGM , AP4232GM , AP4503AGEM , AP4506GEM , AP4509GM , AP4511GM , AP4513GM .

History: AON7516 | NVMFD5C470N | AM3446N | SWB056R68E7T | CJPF01N65B

 

 
Back to Top

 


 
.