Справочник MOSFET. AP3B026M

 

AP3B026M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3B026M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3B026M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ape
 ap3b026m.pdf pdf_icon

AP3B026M

AP3B026MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 26mD1 Fast Switching Characteristic ID -7.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8 S1DescriptionAP3B026 series are from Advanced Power innovated design andD2D1silicon p

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 6N65KG-TMS2-T | R6524KNX

 

 
Back to Top

 


 
.