AP6A100M Todos los transistores

 

AP6A100M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6A100M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de AP6A100M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP6A100M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  ape
 ap6a100m.pdf pdf_icon

AP6A100M

AP6A100MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD2D2 Small Package Outline D1 RDS(ON) 100mD1 Surface Mount Device ID3 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionD2D1AP6A100 series are from Advanced Power innovated design andsilicon proces

Otros transistores... AP4511GM , AP4513GM , AP4525GEM , AP4532GM , AP4533GEM , AP4578GM , AP4963GEM , AP5322GM , AON7403 , AP6C036M , AP6C072M , AP8N010LM , AP9926GM , AP9936GM , AP9938GEM , AP9960GM , AP9962AGM .

History: AOD4T60P | 2SK2411-Z | 2SJ651

 

 
Back to Top

 


 
.