AP6A100M Todos los transistores

 

AP6A100M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP6A100M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP6A100M datasheet

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AP6A100M

AP6A100M Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D2 D2 Small Package Outline D1 RDS(ON) 100m D1 Surface Mount Device ID3 3.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description D2 D1 AP6A100 series are from Advanced Power innovated design and silicon proces

Otros transistores... AP4511GM , AP4513GM , AP4525GEM , AP4532GM , AP4533GEM , AP4578GM , AP4963GEM , AP5322GM , IRF9640 , AP6C036M , AP6C072M , AP8N010LM , AP9926GM , AP9936GM , AP9938GEM , AP9960GM , AP9962AGM .

History: STF12N120K5 | CJE3134K

 

 

 

 

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