AP6A100M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP6A100M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP6A100M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6A100M даташит

 ..1. Size:185K  ape
 ap6a100m.pdf pdf_icon

AP6A100M

AP6A100M Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D2 D2 Small Package Outline D1 RDS(ON) 100m D1 Surface Mount Device ID3 3.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description D2 D1 AP6A100 series are from Advanced Power innovated design and silicon proces

Другие IGBT... AP4511GM, AP4513GM, AP4525GEM, AP4532GM, AP4533GEM, AP4578GM, AP4963GEM, AP5322GM, IRF9640, AP6C036M, AP6C072M, AP8N010LM, AP9926GM, AP9936GM, AP9938GEM, AP9960GM, AP9962AGM