Справочник MOSFET. AP6A100M

 

AP6A100M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP6A100M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для AP6A100M

 

 

AP6A100M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  ape
 ap6a100m.pdf

AP6A100M AP6A100M

AP6A100MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD2D2 Small Package Outline D1 RDS(ON) 100mD1 Surface Mount Device ID3 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionD2D1AP6A100 series are from Advanced Power innovated design andsilicon proces

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top