Справочник MOSFET. AP6A100M

 

AP6A100M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6A100M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP6A100M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6A100M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  ape
 ap6a100m.pdf pdf_icon

AP6A100M

AP6A100MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD2D2 Small Package Outline D1 RDS(ON) 100mD1 Surface Mount Device ID3 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionD2D1AP6A100 series are from Advanced Power innovated design andsilicon proces

Другие MOSFET... AP4511GM , AP4513GM , AP4525GEM , AP4532GM , AP4533GEM , AP4578GM , AP4963GEM , AP5322GM , AON7403 , AP6C036M , AP6C072M , AP8N010LM , AP9926GM , AP9936GM , AP9938GEM , AP9960GM , AP9962AGM .

History: GM7002 | QM2N7002E3K1 | AS2300

 

 
Back to Top

 


 
.