AP6A100M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP6A100M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SO8
AP6A100M Datasheet (PDF)
ap6a100m.pdf
AP6A100M Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D2 D2 Small Package Outline D1 RDS(ON) 100m D1 Surface Mount Device ID3 3.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description D2 D1 AP6A100 series are from Advanced Power innovated design and silicon proces
Другие MOSFET... AP4511GM , AP4513GM , AP4525GEM , AP4532GM , AP4533GEM , AP4578GM , AP4963GEM , AP5322GM , IRF9640 , AP6C036M , AP6C072M , AP8N010LM , AP9926GM , AP9936GM , AP9938GEM , AP9960GM , AP9962AGM .
History: AP10A185M | AP4578GM | AP6C036M
History: AP10A185M | AP4578GM | AP6C036M
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor


