AP8N010LM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP8N010LM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: SO8
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AP8N010LM datasheet
ap8n010lm.pdf
AP8N010LM Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 80V D D Simple Drive Requirement D RDS(ON) 10m D Fast Switching Characteristic ID3 11.8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP8N010L series are from Advanced Power innovated design and silicon process technolo
ap8n06si.pdf
AP8N06SI 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8N06SI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8.5A DS D R
Otros transistores... AP4532GM , AP4533GEM , AP4578GM , AP4963GEM , AP5322GM , AP6A100M , AP6C036M , AP6C072M , K2611 , AP9926GM , AP9936GM , AP9938GEM , AP9960GM , AP9962AGM , AP9971AGM , AP9971GM , AP9975GM .
History: AP03N70H
History: AP03N70H
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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