AP8N010LM Todos los transistores

 

AP8N010LM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP8N010LM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP8N010LM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  ape
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AP8N010LM

AP8N010LMHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 80VDD Simple Drive Requirement D RDS(ON) 10mD Fast Switching Characteristic ID3 11.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8Description DAP8N010L series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technolo

 9.1. Size:1595K  cn apm
 ap8n06si.pdf pdf_icon

AP8N010LM

AP8N06SI 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8N06SI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8.5A DS DR

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History: SLD5N65S | S-LBSS84DW1T1G | SI3401A | AP01N60J | IRF7341I | IRFL110TR | SST213

 

 
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