AP8N010LM - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8N010LM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8N010LM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.8 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP8N010LM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8N010LM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  ape
 ap8n010lm.pdf pdf_icon

AP8N010LM

AP8N010LMHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 80VDD Simple Drive Requirement D RDS(ON) 10mD Fast Switching Characteristic ID3 11.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8Description DAP8N010L series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technolo

 9.1. Size:1595K  cn apm
 ap8n06si.pdf pdf_icon

AP8N010LM

AP8N06SI 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8N06SI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8.5A DS DR

Другие MOSFET... AP4532GM , AP4533GEM , AP4578GM , AP4963GEM , AP5322GM , AP6A100M , AP6C036M , AP6C072M , IRFZ48N , AP9926GM , AP9936GM , AP9938GEM , AP9960GM , AP9962AGM , AP9971AGM , AP9971GM , AP9975GM .

History: PS8205B | IAUC120N04S6L008 | AP0803GMT-A-HF | STW10NA50 | AP2764AP-A | IAUC70N08S5N074 | SMIRF20N65T8TL

 

 
Back to Top

 


 
.