APA2N70K Todos los transistores

 

APA2N70K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APA2N70K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm

Encapsulados: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de APA2N70K MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

APA2N70K datasheet

 ..1. Size:68K  ape
 apa2n70k.pdf pdf_icon

APA2N70K

APA2N70K RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10 S Simple Drive Requirement ID 0.35A D G SOT-223 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G combination of fast switching,low on-resistance and cost

Otros transistores... AP09T10GK , AP10TN135K , AP30T10GK , AP60WN4K9K , AP6N090K , AP6N090LK , AP6P250K , AP04N20GK , IRFP460 , AP18P10GK , AP70SL1K4BK2 , AP10P500N , AP10TN135N , AP2302AGN , AP2304AGN , AP2304GN , AP2306AGEN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.