APA2N70K. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: APA2N70K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для APA2N70K
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APA2N70K даташит
apa2n70k.pdf
APA2N70K RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10 S Simple Drive Requirement ID 0.35A D G SOT-223 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G combination of fast switching,low on-resistance and cost
Другие MOSFET... AP09T10GK , AP10TN135K , AP30T10GK , AP60WN4K9K , AP6N090K , AP6N090LK , AP6P250K , AP04N20GK , IRFP460 , AP18P10GK , AP70SL1K4BK2 , AP10P500N , AP10TN135N , AP2302AGN , AP2304AGN , AP2304GN , AP2306AGEN .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent

