Справочник MOSFET. APA2N70K

 

APA2N70K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APA2N70K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для APA2N70K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APA2N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  ape
 apa2n70k.pdf pdf_icon

APA2N70K

APA2N70KRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10S Simple Drive Requirement ID 0.35ADGSOT-223DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGcombination of fast switching,low on-resistance and cost

Другие MOSFET... AP09T10GK , AP10TN135K , AP30T10GK , AP60WN4K9K , AP6N090K , AP6N090LK , AP6P250K , AP04N20GK , IRF640 , AP18P10GK , AP70SL1K4BK2 , AP10P500N , AP10TN135N , AP2302AGN , AP2304AGN , AP2304GN , AP2306AGEN .

History: IRF7907PBF-1 | DMN5L06W-7 | TSM2NB60CI | SVD50N06MJ | AP55T10GS-HF | SVF12N60S | MMBFJ110

 

 
Back to Top

 


 
.