AP5600N Todos los transistores

 

AP5600N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP5600N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: SOT23

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AP5600N datasheet

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AP5600N

AP5600N Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 50V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 160m Low Gate Charge ID 2.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description D AP5600 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

 9.1. Size:231K  ape
 ap5602p.pdf pdf_icon

AP5600N

AP5602P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement D BVDSS 55V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 100A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series are from Advanced Power innovated design AP5602 series are from Advanced Power innovated des

Otros transistores... AP2323AGN , AP2323GN , AP2326GN , AP2328GN , AP2330GN , AP2338GN , AP2344GN , AP2346GN , IRFP250N , AP60PN72REN , AP60PN72RLEN , AP15TN1R5N , AP2309GEN , AP2321GN , AP2325GEN , AP2N025LN , AP2N030EN .

History: IRFR4105ZTR

 

 

 

 

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