AP5600N - описание и поиск аналогов

 

AP5600N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP5600N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP5600N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5600N даташит

 ..1. Size:187K  ape
 ap5600n.pdf pdf_icon

AP5600N

AP5600N Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 50V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 160m Low Gate Charge ID 2.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description D AP5600 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

 9.1. Size:231K  ape
 ap5602p.pdf pdf_icon

AP5600N

AP5602P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement D BVDSS 55V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 100A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series are from Advanced Power innovated design AP5602 series are from Advanced Power innovated des

Другие MOSFET... AP2323AGN , AP2323GN , AP2326GN , AP2328GN , AP2330GN , AP2338GN , AP2344GN , AP2346GN , IRFP250N , AP60PN72REN , AP60PN72RLEN , AP15TN1R5N , AP2309GEN , AP2321GN , AP2325GEN , AP2N025LN , AP2N030EN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.