AP5600N - аналоги и даташиты транзистора

 

AP5600N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP5600N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP5600N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5600N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  ape
 ap5600n.pdf pdf_icon

AP5600N

AP5600NHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 50VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 160m Low Gate Charge ID 2.1AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23 GDescription DAP5600 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

 9.1. Size:231K  ape
 ap5602p.pdf pdf_icon

AP5600N

AP5602PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 55V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 100AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Power innovated designAP5602 series are from Advanced Power innovated des

Другие MOSFET... AP2323AGN , AP2323GN , AP2326GN , AP2328GN , AP2330GN , AP2338GN , AP2344GN , AP2346GN , IRFP250N , AP60PN72REN , AP60PN72RLEN , AP15TN1R5N , AP2309GEN , AP2321GN , AP2325GEN , AP2N025LN , AP2N030EN .

History: SWB062R08E8T

 

 
Back to Top

 


 
.