AP6P250N Todos los transistores

 

AP6P250N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP6P250N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: SOT23S

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AP6P250N datasheet

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AP6P250N

AP6P250N Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60V D Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID -1.6A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP6P250N series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the

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AP6P250N

AP6P250K Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 250m S Fast Switching Characteristic ID -2.4A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G D Description AP6P250 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achi

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History: AP2N1K2EN1 | AP5322GM | AP6950GMT-HF | AP9970GK | CJK3400AH | AP6985GN2-HF | AP6900GH-HF

 

 

 

 

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