AP6P250N Todos los transistores

 

AP6P250N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6P250N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23S
 

 Búsqueda de reemplazo de AP6P250N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP6P250N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ape
 ap6p250n.pdf pdf_icon

AP6P250N

AP6P250NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID -1.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDDescriptionAP6P250N series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 7.1. Size:177K  ape
 ap6p250k.pdf pdf_icon

AP6P250N

AP6P250KHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 250mS Fast Switching Characteristic ID -2.4AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDDescriptionAP6P250 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achi

Otros transistores... AP2P053N , AP3601N , AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , IRF1010E , AP2301EN , AP2314GN , AP2318GEN , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y .

History: FQB11P06 | AOCA24106E | SWD4N60K | SM2202NSQG | FA57SA50LCP | WMO13N70EM | SI4058DY

 

 
Back to Top

 


 
.