AP6P250N Todos los transistores

 

AP6P250N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6P250N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23S
 

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AP6P250N Datasheet (PDF)

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AP6P250N

AP6P250NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID -1.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDDescriptionAP6P250N series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 7.1. Size:177K  ape
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AP6P250N

AP6P250KHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 250mS Fast Switching Characteristic ID -2.4AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDDescriptionAP6P250 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achi

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History: IRLB8314PBF | KIA75NF75 | IPN60R2K0PFD7S

 

 
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