Справочник MOSFET. AP6P250N

 

AP6P250N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP6P250N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S

 Аналог (замена) для AP6P250N

 

 

AP6P250N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ape
 ap6p250n.pdf

AP6P250N AP6P250N

AP6P250NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID -1.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDDescriptionAP6P250N series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 7.1. Size:177K  ape
 ap6p250k.pdf

AP6P250N AP6P250N

AP6P250KHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 250mS Fast Switching Characteristic ID -2.4AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDDescriptionAP6P250 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top