AP6P250N - аналоги и даташиты транзистора

 

AP6P250N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP6P250N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S
 

 Аналог (замена) для AP6P250N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6P250N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ape
 ap6p250n.pdf pdf_icon

AP6P250N

AP6P250NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID -1.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDDescriptionAP6P250N series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 7.1. Size:177K  ape
 ap6p250k.pdf pdf_icon

AP6P250N

AP6P250KHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 250mS Fast Switching Characteristic ID -2.4AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDDescriptionAP6P250 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achi

Другие MOSFET... AP2P053N , AP3601N , AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , IRF1010E , AP2301EN , AP2314GN , AP2318GEN , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y .

History: AOCA24106E | FA57SA50LCP | SM2202NSQG

 

 
Back to Top

 


 
.