AP6P250N - описание и поиск аналогов

 

AP6P250N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6P250N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SOT23S

Аналог (замена) для AP6P250N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6P250N даташит

 ..1. Size:188K  ape
 ap6p250n.pdf pdf_icon

AP6P250N

AP6P250N Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60V D Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID -1.6A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP6P250N series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the

 7.1. Size:177K  ape
 ap6p250k.pdf pdf_icon

AP6P250N

AP6P250K Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 250m S Fast Switching Characteristic ID -2.4A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G D Description AP6P250 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achi

Другие MOSFET... AP2P053N , AP3601N , AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , 12N60 , AP2301EN , AP2314GN , AP2318GEN , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y .

History: SI2101 | AP15N03GH | SGSP462 | AP3N4R5M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.