AP4C205Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP4C205Y
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP4C205Y

AP4C205Y Datasheet (PDF)

..1. Size:245K ape
ap4c205y.pdf

AP4C205YHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 40VS1 Fast Switching Performance RDS(ON) 78mD1 Surface Mount Package ID 2.9AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VSOT-26 G1RDS(ON) 205mDescription ID -1.9AAP4C205 series are from Advanced Power innovate

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