AP4C205Y Todos los transistores

 

AP4C205Y MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4C205Y

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm

Encapsulados: SOT26

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AP4C205Y datasheet

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AP4C205Y

AP4C205Y Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 40V S1 Fast Switching Performance RDS(ON) 78m D1 Surface Mount Package ID 2.9A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40V SOT-26 G1 RDS(ON) 205m Description ID -1.9A AP4C205 series are from Advanced Power innovate

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