Справочник MOSFET. AP4C205Y

 

AP4C205Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4C205Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP4C205Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4C205Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  ape
 ap4c205y.pdf pdf_icon

AP4C205Y

AP4C205YHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 40VS1 Fast Switching Performance RDS(ON) 78mD1 Surface Mount Package ID 2.9AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VSOT-26 G1RDS(ON) 205mDescription ID -1.9AAP4C205 series are from Advanced Power innovate

Другие MOSFET... AP2N030EY , AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y , AP2906EY , AP2626GY , AP2530GY , AP2530AGY , SKD502T , AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , AP1430GEU6 , AP2N1K2EN1 , AP5N2K2EN1 .

History: SPI80N06S-80 | VS6038AD | ZXMN7A11K | P0690ATFS | AOV11S60 | PJU3NA50 | LNH08R085

 

 
Back to Top

 


 
.