AP6800EY Todos los transistores

 

AP6800EY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP6800EY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SOT26

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AP6800EY datasheet

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AP6800EY

AP6800EY Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET S2 Simple Drive Requirement BVDSS 60V G2 D1 Smaller Outline Package RDS(ON) 2 D2 Surface mount package ID3 260mA G1 SOT-26 S1 RoHS Compliant & Halogen-Free D1 D2 Description G1 G2 AP6800 series are from Advanced Power innovated design and silicon proce

 8.1. Size:107K  ape
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AP6800EY

AP6800GEO Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET G2 Low on-resistance BVDSS 20V S2 S2 D2 Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 20m G1 S1 Optimal DC/DC battery application S1 ID 6 TSSOP-8 D1 RoHS compliant Description D1 D2 The Advanced Power M

 8.2. Size:1419K  allpower
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AP6800EY

 9.1. Size:732K  allpower
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AP6800EY

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History: STF12N120K5 | FDBL9406F085 | CJE3134K

 

 

 

 

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