AP6800EY Todos los transistores

 

AP6800EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6800EY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
 

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AP6800EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  ape
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AP6800EY

AP6800EYHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETS2 Simple Drive Requirement BVDSS 60VG2D1 Smaller Outline Package RDS(ON) 2D2 Surface mount package ID3 260mAG1SOT-26S1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2AP6800 series are from Advanced Power innovated design andsilicon proce

 8.1. Size:107K  ape
 ap6800geo.pdf pdf_icon

AP6800EY

AP6800GEOPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2Low on-resistance BVDSS 20V S2S2D2Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 20m G1S1Optimal DC/DC battery application S1 ID 6 TSSOP-8D1 RoHS compliantDescriptionD1 D2The Advanced Power M

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History: EFC3C001NUZ | 2SK1942 | UPA1759 | H2N60D | WSD3066DN | SED14N65G | BSZ900N15NS3G

 

 
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