Справочник MOSFET. AP6800EY

 

AP6800EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6800EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP6800EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6800EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  ape
 ap6800ey.pdf pdf_icon

AP6800EY

AP6800EYHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETS2 Simple Drive Requirement BVDSS 60VG2D1 Smaller Outline Package RDS(ON) 2D2 Surface mount package ID3 260mAG1SOT-26S1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2AP6800 series are from Advanced Power innovated design andsilicon proce

 8.1. Size:107K  ape
 ap6800geo.pdf pdf_icon

AP6800EY

AP6800GEOPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2Low on-resistance BVDSS 20V S2S2D2Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 20m G1S1Optimal DC/DC battery application S1 ID 6 TSSOP-8D1 RoHS compliantDescriptionD1 D2The Advanced Power M

Другие MOSFET... AP6N090Y , AP2906EY , AP2626GY , AP2530GY , AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY , 75N75 , AP1332GEU , AP2N7002KU , AP1430GEU6 , AP2N1K2EN1 , AP5N2K2EN1 , AP2N050G , AP6N090G , AP9451GG .

History: DMN62D0LFB | IPD60R210CFD7 | APT14M120B

 

 
Back to Top

 


 
.