IRFF430 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFF430

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO39

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IRFF430 datasheet

 ..1. Size:129K  international rectifier
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IRFF430

PD -90433C IRFF430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6802 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/557 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF430 500V 1.5 2.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing

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 2n6794 irff420.pdf pdf_icon

IRFF430

PD - 90429C IRFF420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6794 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6794 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/555 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF420 500V 3.0 1.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing

 9.2. Size:99K  international rectifier
 irff1xx irff2xx irff3xx irff4xx 2n678x 2n679x 2n680x.pdf pdf_icon

IRFF430

Otros transistores... IRFF130, IRFF210, IRFF220, IRFF230, IRFF310, IRFF320, IRFF330, IRFF420, K3569, IRFF9024, IRFF9110, IRFF9120, IRFF9130, IRFF9210, IRFF9220, IRFF9230, IRFI1010N