IRFF430. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFF430

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO39

Аналог (замена) для IRFF430

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFF430 даташит

 ..1. Size:129K  international rectifier
 2n6802 irff430.pdf pdf_icon

IRFF430

PD -90433C IRFF430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6802 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/557 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF430 500V 1.5 2.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing

 9.1. Size:128K  international rectifier
 2n6794 irff420.pdf pdf_icon

IRFF430

PD - 90429C IRFF420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6794 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6794 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/555 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF420 500V 3.0 1.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing

 9.2. Size:99K  international rectifier
 irff1xx irff2xx irff3xx irff4xx 2n678x 2n679x 2n680x.pdf pdf_icon

IRFF430

Другие IGBT... IRFF130, IRFF210, IRFF220, IRFF230, IRFF310, IRFF320, IRFF330, IRFF420, K3569, IRFF9024, IRFF9110, IRFF9120, IRFF9130, IRFF9210, IRFF9220, IRFF9230, IRFI1010N