IRFF430 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFF430 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFF430
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO39
 

 Аналог (замена) для IRFF430

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFF430 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  international rectifier
 2n6802 irff430.pdf pdf_icon

IRFF430

PD -90433CIRFF430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6802THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF430 500V 1.5 2.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing

 9.1. Size:128K  international rectifier
 2n6794 irff420.pdf pdf_icon

IRFF430

PD - 90429CIRFF420REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6794HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6794THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/555500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF420 500V 3.0 1.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing

 9.2. Size:99K  international rectifier
 irff1xx irff2xx irff3xx irff4xx 2n678x 2n679x 2n680x.pdf pdf_icon

IRFF430

Другие MOSFET... IRFF130 , IRFF210 , IRFF220 , IRFF230 , IRFF310 , IRFF320 , IRFF330 , IRFF420 , K3569 , IRFF9024 , IRFF9110 , IRFF9120 , IRFF9130 , IRFF9210 , IRFF9220 , IRFF9230 , IRFI1010N .

History: TK4A60DB | AFP3485 | FDS4070N3 | SMC8205AS

 

 
Back to Top

 


 
.