AP1430GEU6 Todos los transistores

 

AP1430GEU6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP1430GEU6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.277 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: SOT363

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AP1430GEU6 datasheet

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AP1430GEU6

AP1430GEU6-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S2 Simple Gate Drive BVDSS 60V G2 D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5 D2 G1 Embedded Protection Diode ID 230mA S1 SOT-363 RoHS Compliant & Halogen Free D1 D2 Description G1 G2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combina

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AP1430GEU6

AP1430GEU6-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S2 Simple Gate Drive BVDSS 60V G2 D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5 D2 G1 Embedded Protection Diode ID 230mA S1 SOT-363 RoHS Compliant & Halogen Free D1 D2 Description G1 G2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combina

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History: 25N40A | AP16N50W-HF | AP9936GM

 

 

 

 

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