AP1430GEU6 Todos los transistores

 

AP1430GEU6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP1430GEU6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.277 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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AP1430GEU6 Datasheet (PDF)

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AP1430GEU6

AP1430GEU6-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS2 Simple Gate Drive BVDSS 60VG2D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5D2G1 Embedded Protection Diode ID 230mAS1SOT-363 RoHS Compliant & Halogen FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combina

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AP1430GEU6

AP1430GEU6-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS2 Simple Gate Drive BVDSS 60VG2D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5D2G1 Embedded Protection Diode ID 230mAS1SOT-363 RoHS Compliant & Halogen FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combina

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History: HM3N150A

 

 
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