AP1430GEU6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP1430GEU6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.277 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: SOT363
Аналог (замена) для AP1430GEU6
AP1430GEU6 Datasheet (PDF)
ap1430geu6.pdf
AP1430GEU6-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS2 Simple Gate Drive BVDSS 60VG2D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5D2G1 Embedded Protection Diode ID 230mAS1SOT-363 RoHS Compliant & Halogen FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combina
ap1430geu6-hf.pdf
AP1430GEU6-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS2 Simple Gate Drive BVDSS 60VG2D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5D2G1 Embedded Protection Diode ID 230mAS1SOT-363 RoHS Compliant & Halogen FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combina
Другие MOSFET... AP2530GY , AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , IRF2807 , AP2N1K2EN1 , AP5N2K2EN1 , AP2N050G , AP6N090G , AP9451GG , AP9452GG , AP9T16AGH , AP99T03GS .
History: H5N60U | JMSL0401AGQ | C2T213
History: H5N60U | JMSL0401AGQ | C2T213
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet