AP1430GEU6 - описание и поиск аналогов

 

AP1430GEU6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP1430GEU6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.277 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для AP1430GEU6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1430GEU6 даташит

 ..1. Size:131K  ape
 ap1430geu6.pdf pdf_icon

AP1430GEU6

AP1430GEU6-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S2 Simple Gate Drive BVDSS 60V G2 D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5 D2 G1 Embedded Protection Diode ID 230mA S1 SOT-363 RoHS Compliant & Halogen Free D1 D2 Description G1 G2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combina

 0.1. Size:61K  ape
 ap1430geu6-hf.pdf pdf_icon

AP1430GEU6

AP1430GEU6-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S2 Simple Gate Drive BVDSS 60V G2 D1 Small Package Outline RDS(ON) 2.5 D2 G1 Embedded Protection Diode ID 230mA S1 SOT-363 RoHS Compliant & Halogen Free D1 D2 Description G1 G2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combina

Другие MOSFET... AP2530GY , AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , IRF2807 , AP2N1K2EN1 , AP5N2K2EN1 , AP2N050G , AP6N090G , AP9451GG , AP9452GG , AP9T16AGH , AP99T03GS .

History: AP1A003GMT-HF | STF13N65M2 | IPP084N06L3 | AP4578GH | 2SK2371 | AP9971GI | AP3P9R0M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.