AP2N1K2EN1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP2N1K2EN1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT723

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AP2N1K2EN1 Datasheet (PDF)

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ap2n1k2en1.pdf

AP2N1K2EN1Halogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.2V Low Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 1.2G Fast Switching Performance ID 200mA RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDescription2 1 : Gate2 : DrainAP2N1K2E series are from Advanced Power innovated design3 : Sourcean

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History: 2SK3574-ZK

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