AP2N1K2EN1 Todos los transistores

 

AP2N1K2EN1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP2N1K2EN1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: SOT723

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AP2N1K2EN1 datasheet

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AP2N1K2EN1

AP2N1K2EN1 Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.2V Low Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 1.2 G Fast Switching Performance ID 200mA RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S Description 2 1 Gate 2 Drain AP2N1K2E series are from Advanced Power innovated design 3 Source an

Otros transistores... AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , AP1430GEU6 , STF13NM60N , AP5N2K2EN1 , AP2N050G , AP6N090G , AP9451GG , AP9452GG , AP9T16AGH , AP99T03GS , AP99T03GP .

History: AP6950GMT-HF | AP9970GK | CJK3400AH | AP5322GM | AP6900GH-HF | AP6985GN2-HF

 

 

 

 

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