AP2N1K2EN1 - описание и поиск аналогов

 

AP2N1K2EN1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2N1K2EN1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: SOT723

Аналог (замена) для AP2N1K2EN1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N1K2EN1 даташит

 ..1. Size:180K  ape
 ap2n1k2en1.pdf pdf_icon

AP2N1K2EN1

AP2N1K2EN1 Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.2V Low Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 1.2 G Fast Switching Performance ID 200mA RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S Description 2 1 Gate 2 Drain AP2N1K2E series are from Advanced Power innovated design 3 Source an

Другие MOSFET... AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , AP1430GEU6 , STF13NM60N , AP5N2K2EN1 , AP2N050G , AP6N090G , AP9451GG , AP9452GG , AP9T16AGH , AP99T03GS , AP99T03GP .

History: SI2101 | AP15N03GH | SGSP462 | AP3N4R5M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.