Справочник MOSFET. AP2N1K2EN1

 

AP2N1K2EN1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP2N1K2EN1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT723

 Аналог (замена) для AP2N1K2EN1

 

 

AP2N1K2EN1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  ape
 ap2n1k2en1.pdf

AP2N1K2EN1 AP2N1K2EN1

AP2N1K2EN1Halogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.2V Low Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 1.2G Fast Switching Performance ID 200mA RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDescription2 1 : Gate2 : DrainAP2N1K2E series are from Advanced Power innovated design3 : Sourcean

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top