Справочник MOSFET. AP2N1K2EN1

 

AP2N1K2EN1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2N1K2EN1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT723
 

 Аналог (замена) для AP2N1K2EN1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N1K2EN1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  ape
 ap2n1k2en1.pdf pdf_icon

AP2N1K2EN1

AP2N1K2EN1Halogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.2V Low Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 1.2G Fast Switching Performance ID 200mA RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDescription2 1 : Gate2 : DrainAP2N1K2E series are from Advanced Power innovated design3 : Sourcean

Другие MOSFET... AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , AP1430GEU6 , IRF2807 , AP5N2K2EN1 , AP2N050G , AP6N090G , AP9451GG , AP9452GG , AP9T16AGH , AP99T03GS , AP99T03GP .

History: STV200N55F3 | KHB2D0N60P | TPM7002DFN3

 

 
Back to Top

 


 
.